中国首款DRAM芯片投产 将于年底正式交付

经过几年摸索，中国首款自主研发的DRAM芯片投产，预计年底正式交付。9月20号召开的2019世界制造业大会上，长鑫存储董事长兼首席执行官（CEO）朱一明介绍，长鑫存储研发的10纳米级第一代8Gb核心的双倍数据速率（DDR4）内存芯片已经投产。该芯片已经通过多个国内外大客户验证，将于今年年底正式交付。另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺，与国际巨头仍有差距。10纳米级工艺已经历两次技术迭代，最初为1X nm工艺，介于16-19nm之间；1Y nm工艺在14-16nm之间，最新的1Z nm工艺在12-14nm之间。2019年3月，三星宣布开发1Z纳米工艺的8Gb DDR4产品。